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2SD313	文件：1.02553 Mbytes Page：3 Pages	丝印：2SD313；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A DC Current Gain hFE=40~320@IC=1A Complementray to PNP 2SB507 文件：1.02553 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD313	文件：1.02553 Mbytes Page：3 Pages	丝印：2SD313；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A DC Current Gain hFE=40~320@IC=1A Complementray to PNP 2SB507 文件：1.02553 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD313	文件：605.08 Kbytes Page：2 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A ● DC Current Gain hFE=40~320@IC=1A ● Complementray to PNP 2SB507 文件：605.08 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD313	文件：126.14 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.75 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.14 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SD313	文件：610.01 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. Features Low Current Low Voltage. Applications Low frequency power amplifier applications. 文件：610.01 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD313	文件：115.15 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(3A,60V,30W) 3 AMPERE POWER TRANSISTOR 60 VOLT 30 WATTS 文件：115.15 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SD313	文件：30.57 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complement to 2SB507 文件：30.57 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SD313	文件：42.21 Kbytes Page：1 Pages	PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE Planar Rtpe Silicon Transistor For AF POWER Amplifier Use 文件：42.21 Kbytes 页数：1 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD313	文件：49.01 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD313 is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. 文件：49.01 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD313	文件：54.65 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.75 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：54.65 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL

晶体管资料

型号：
2SD313
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
8MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDY241A,BD243A,BD535,BD539A,BD577,BD935,D651,3DA4306,3DD30A,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-90
vtest：
60
htest：
8000000
atest：
3
wtest：
30

详细参数

型号：
2SD313
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE

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更多2SD313供应商更新时间2025-12-21 14:14:00

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