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2SB1555	文件：138.37 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) POWER AMPLIFIER APPLICATIONS • High Breakdown Voltage : VCEO = -140V (Min) • Complementary to 2SD2384 文件：138.37 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1555	文件：245.53 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -140V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 5000(Min)@IC= -6A ·Complement to Type 2SD2384 APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications 文件：245.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1555	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (DARLINGTON POWER TRANSISTOR) POWER AMPLIFIER APPLICATIONS	Toshiba 东芝	Toshiba
2SB1691WL-TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SB1709TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SC-96	ROHM 罗姆上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ROHM

晶体管资料

型号：
2SB1555
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1470,2SB1490,2SB1503,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
β>5000
图片代号：
B-62
vtest：
140
htest：
999900
atest：
7
wtest：
100

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