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2SB1623	文件：44.68 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type(For power amplification) SiliconPNPepitaxialplanertype Forpoweramplification ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFE •SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE •Dielectricbreakdownvoltageofthepackage:>5kV	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
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Silicon PNP epitaxial planer type(For power amplification)

SiliconPNPepitaxialplanertype Forpoweramplification ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFE •SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE •Dielectricbreakdownvoltageofthepackage:>5kV

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

Panasonic

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For Power Amplification

SiliconPNPepitaxialplanartype Forpoweramplification ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFE •SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE •Dielectricbreakdownvoltageofthepackage:>5kV

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

Panasonic

2SB1623AP

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Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 80V 4A TO220D-A1

PanasonicElectronicComponents

Panasonic Electronic Components

PanasonicElectronicComponents

详细参数

型号：
2SB1623
功能描述：
TRANS PNP 80VCEO 4A TO-220D
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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