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2SB1580	文件：78.28 Kbytes Page：3 Pages	丝印：T100；Package：MPT3；Power Transistor (−100V , −2A) Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SD2195 / 2SD1980. 文件：78.28 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1580	文件：130.93 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (??00V,??A) Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SD2195 / 2SD1980. 文件：130.93 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1580	文件：300 bytes Page：1 Pages	High gain amplifier Transistor(Darlington) 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •电力増幅用晶体管表面安装型;	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1580U	文件：300 bytes Page：1 Pages	达林顿三极管	ST 意法半导体	ST
2SB1580T100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 2A MPT3	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SB1580
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
表面帖装型（SMD）_UIN
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
β=1000-10000
图片代号：
H-100
vtest：
100
htest：
999900
atest：
2
wtest：
0

技术参数

封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
2
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-100
Collector current Io(Ic) [A]：
-2
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
4.5x4 (t=1.5)

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