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2SB1561 | 丝印:BLQ;Package:SOT-89;Medium Power Transistor (-60V, -2A) Features 1) Low saturation voltage , typically VCE (sat)= −0.15V at IC/ IB= −1A / −50mA. 2) Collector-emitter voltage = −60V 3) Pc = 2W (on 40400.7mm ceramic board). 4) Complements the 2SD2391. 文件:113.17 Kbytes 页数:4 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | |
2SB1561 | 丝印:BLQ;Package:SOT-89;Medium Power Transistor (−60V, −2A) 文件:175.55 Kbytes 页数:3 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | |
2SB1561 | Transistors > Medium Power Bipolar Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM 罗姆 | ROHM | |
medium power transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium Power Transistor 文件:485.03 Kbytes 页数:3 Pages | SURGE | SURGE | ||
Medium Power Transistor (−60V, −2A) 文件:175.55 Kbytes 页数:3 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | ||
丝印:BL/QN;Package:SOT-89;PNP Transistors 文件:334.45 Kbytes 页数:3 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | ||
丝印:1561;Package:SOT-89;PNP Transistor 文件:359.6 Kbytes 页数:3 Pages | PJSEMI 平晶半导体 | PJSEMI | ||
Medium Power Transistor (−60V, −2A) 1) Low saturation voltage , typically VCE (sat)= −0.15V at IC/ IB= −1A / −50mA.\n2) Collector-emitter voltage = −60V\n3) Pc = 2W (on 40400.7mm ceramic board).\n4) Complements the 2SD2391.; | ROHM 罗姆 | ROHM | ||
PNP小信号三极管 | CBI 创基电子 | CBI | ||
Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 2A MPT3 | ROHM 罗姆 | ROHM |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
表面帖装型 (SMD)_LO_SAT
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
60V
- 最大电流允许值:
2A
- 最大工作频率:
150MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
2SA15891,2SB1123,
- 最大耗散功率:
- 放大倍数:
- 图片代号:
H-100
- vtest:
60
- htest:
150000000
- atest:
2
- wtest:
0
技术参数
- ptot(W):
2
- IC(A):
2
- Vcbo(V):
-60
- Vceo(V):
60
- Vebo(V):
-6
- Icbo(uA):
-0.1
- Icbo(V):
-50
- Vce(sat)(V):
-0.35
- Vce(sat)Ic(mA):
-1000
- Vce(sat)Ib(mA):
-50
- hFE:
120-270
- hFEvce(v):
-2
- hFEIc(mA):
-500
- ftMHz:
200
- ftVce(v):
-2
- ftIc/Ie(mA):
500
- PackageOutline:
SOT-89
- Arrays:
BCE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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