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2SB1602	文件：189.11 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) POWER AMPLIFIER APPLICATIONS • High DC Current Gain : hFE(1) = 300- 1000 • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat) = -0.5V(Typ.) • Complementary to 2SD2462 文件：189.11 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1602	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.	Toshiba 东芝	Toshiba
2SB1691WL-TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SB1709TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SC-96	ROHM 罗姆上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ROHM
2SB624-T1B-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SB1602
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
HI_BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.3W
放大倍数：
β>800
图片代号：
G-221
vtest：
60
htest：
999900
atest：
3
wtest：
1.3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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