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2SB1569	文件：68.64 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-100V(Min) •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@(VCE=-2V,lc=-1A) •ComplementtoType2SD2398 APPLICATIONS •Designedforhighpowerswitchingapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB1569	文件：209.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB1569	文件：235.41 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-120V(Min) •ComplementtoType2SD2400 APPLICATIONS •Designedforpoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1569	文件：207.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •Wideareaofsafeoperation •Complementtotype2SD2400	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
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2SB1569	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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晶体管资料

型号：
2SB1569F
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
β=160-320
图片代号：
B-10
vtest：
120
htest：
50000000
atest：
1.5
wtest：
20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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