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2SB1419	文件：243.96 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)cEo=-160V(Min) • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Power amplifier applications • Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier 文件：243.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1419	文件：131.88 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)cEo=-160V(Min) • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Power amplifier applications • Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier 文件：131.88 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1419	文件：180.46 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PL package • Wide area of safe operation • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For low frequency and high power amplifier applications 文件：180.46 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1411	文件：219.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：219.12 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1411	文件：148.31 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Type 文件：148.31 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1411_06	文件：148.31 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Type 文件：148.31 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1412	文件：192.32 Kbytes Page：4 Pages	Low frequency transistor (−20V,−5A) 文件：192.32 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1412	文件：174.96 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR 文件：174.96 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1412	文件：139.65 Kbytes Page：5 Pages	Low frequency transistor (−20V, −5A) 文件：139.65 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1412_09	文件：192.32 Kbytes Page：4 Pages	Low frequency transistor (−20V,−5A) 文件：192.32 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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晶体管资料

型号：
2SB1418
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT60F,2SB122,2SB1223,2SB1342,2SB1411,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
A-71
vtest：
60
htest：
20000000
atest：
2
wtest：
15

详细参数

型号：
2SB141
功能描述：
TRANS PNP 80VCEO 2A MT-4
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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更多2SB141供应商更新时间2025-12-24 10:31:00

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