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2SB1072L	文件：35.64 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Application Medium speed power amplifier 文件：35.64 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1072L	文件：246.82 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= -2A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications ·Medium speed power amplifier 文件：246.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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晶体管资料

型号：
2SB1072L,S
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB908,BDW24C,BDW54C,2SB751B,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
A-80
vtest：
100
htest：
999900
atest：
4
wtest：
20

详细参数

型号：
2SB1072L
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP Triple Diffused

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