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2SB1016	文件：161.73 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fapackage •Highbreakdownvoltage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SD1407 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB1016	文件：187.67 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fapackage •Highbreakdownvoltage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SD1407 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1016A	文件：148.33 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=−100V •Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=−2.0V(max) •Complementaryto2SD1407A	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SB1017	文件：33.64 Kbytes Page：1 Pages	2SB1017 SiliconPNPPowerTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SB1017	文件：158.81 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·Complementtotype2SD1408 APPLICATIONS ·Forpoweramplifications ·Recommendedfor20-25Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB1017	文件：214.16 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·Complementtotype2SD1408 APPLICATIONS ·Forpoweramplifications ·Recommendedfor20-25Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SB1017	文件：182.66 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·Complementtotype2SD1408 APPLICATIONS ·Forpoweramplifications ·Recommendedfor20-25Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1017	文件：69.26 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1017isaPNPsiliconepitaxialtransistorsuitedtobeusedinpoweramplifierapplications. FEATURES *Lowbasedrive	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1017	文件：127.69 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-1.7V(Max)@IC=-3A •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SD1408 APPLICATIONS •Designedforpoweramplifierapplications. •Recommendedfor20~25Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB1017G-X-TF3-T	文件：69.26 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1017isaPNPsiliconepitaxialtransistorsuitedtobeusedinpoweramplifierapplications. FEATURES *Lowbasedrive	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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产品属性

产品编号：
2SB1011
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 30mA，5V
频率 - 跃迁：
70MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126B-A1
描述：
TRANS PNP 400V 0.1A TO126B-A1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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