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2SB1030	文件：38.11 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification) ■ Features ● Optimum for high-density mounting. ● Allowing supply with the radial taping. 文件：38.11 Kbytes 页数：2 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SB1030A	文件：38.11 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification) ■ Features ● Optimum for high-density mounting. ● Allowing supply with the radial taping. 文件：38.11 Kbytes 页数：2 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SB1031	文件：320.95 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER HIGH CURRENT SWITCHING Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：320.95 Kbytes 页数：2 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1031	文件：88.63 Kbytes Page：2 Pages	Complement to Type 2SD1435 DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -8A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -100V(Min) • Complement to Type 2SD1435 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：88.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1031	文件：137.59 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -8A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -100V(Min) • Complement to Type 2SD1435 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：137.59 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1031K	文件：451.49 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1435K SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1435K 文件：451.49 Kbytes 页数：2 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1032	文件：36.6 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Power switching complementary pair with 2SD1436(K) 文件：36.6 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1032K	文件：36.6 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Power switching complementary pair with 2SD1436(K) 文件：36.6 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1033	文件：136.34 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SD1437 APPLICATIONS • For low frequency power amplifier applications 文件：136.34 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1033	文件：128.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.5V(Max)@lc= -2A • Complement to Type 2SD1437 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：128.12 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2SB1032
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB887,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-46
vtest：
120
htest：
999900
atest：
10
wtest：
80

详细参数

型号：
2SB103
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP Triple Diffused

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	2SB1032	日立	15+	TO-247	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1032	HITACHI/日立	22+	TO-3P	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SB1032	HITACHI	2023+	TOP-3A	50000	原装现货	询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司	2SB1032	日立	24+	MT-100	3200	只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718	询价
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更多2SB103供应商更新时间2025-12-23 11:04:00

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