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2SB1031	文件：320.95 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER HIGH CURRENT SWITCHING Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：320.95 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1031	文件：88.63 Kbytes Page：2 Pages	Complement to Type 2SD1435 DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -8A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -100V(Min) • Complement to Type 2SD1435 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：88.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1031	文件：137.59 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -8A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -100V(Min) • Complement to Type 2SD1435 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：137.59 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1031	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER HIGH CURRENT SWITCHING	HITACHI 日立	HITACHI
2SB1031K	文件：451.49 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1435K SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1435K 文件：451.49 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1031K	文件：300 bytes Page：1 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1435K	HITACHI 日立	HITACHI

晶体管资料

型号：
2SB1031
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV66A,BDW84C,2SB969,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-46
vtest：
100
htest：
999900
atest：
15
wtest：
100

详细参数

型号：
2SB1031
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
SILICON NPN EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER HIGH CURRENT SWITCHING

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