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2SB1020	文件：125.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·High DC C urrent Gain-: hFE= 2000(Min.)@IC= -3A ·Low Collector Saturation Voltage-: VCE(sat)= -1.5V(Max)@IC= -3A ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SD1415 APPLICATIONS ·High power switching applications. ·Hammer drive, pulse motor drive applications. 文件：125.32 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1020	文件：150.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • Complement to type 2SD1415 APPLICATIONS • High power switching applications • Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：150.66 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1020	文件：123.39 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlingtion Power Transistor DESCRIPTION • High DC C urrent Gain- : hFE= 2000(Min.)@lc=-3A • Low Collector Saturation Voltage- :VCE(sat)=-1.5V(Max)@lc=-3A • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SD1415 APPLICATIONS • High power switching applications. • Hammer drive, pulse motor drive applications. 文件：123.39 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1020	文件：128.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • Complement to type 2SD1415 APPLICATIONS • High power switching applications • Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：128.81 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1020	文件：130.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：130.43 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1020	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for low frequency applications Polarity：PNP\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Not available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -7 A \nCollector power dissipation PC 30 W \nCollector power dissipation PC 2.0 W \nCollector-emitter voltage VCEO -100 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SB1020A	文件：204.14 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS) High-Power Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications • High DC current gain: hFE= 2000 (min) (VCE= −3 V, IC= −3 A) • Low saturation voltage: VCE (sat)= −1.5 V (max) (IC= −3 A) • Complementary to 2SD1415A 文件：204.14 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1020_15	文件：150.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150.66 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1020_2014	文件：150.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150.66 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1020A	文件：152.66 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Type (Darlington Power) 文件：152.66 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SB1020
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1719,2SB791,2SB886,2SB1099,2SB1108,2SB1228,2SB1283,2SB1344,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=2000-15000
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
7
wtest：
30

技术参数

Product Category：
Power transistor for low frequency applications
Package name(Toshiba)：
TO-220NIS
Recommended Product 1：
TTB1020B(Package and characteristics are almost same)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SB1020	TOSHIBA	23+	TO-220	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SB1020		24+	TO-220FA	10000	全新	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SB1020	TOS	24+	原厂封装	5500	原装现货假一罚十	询价
深圳市利加科技有限公司	2SB1020	TOS	16+	TO-220	100000	全新原装现货	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	2SB1020	TOSHIBA/东芝	2447	TO-22O	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1020	TOSHIBA/东芝	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SB1020	TOSHIBA/东芝	23+	TO-220F	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SB1020	TOS	23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SB1020	PANASONIC	25+	TO-TO-220F	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市科达星科技有限公司	2SB1020		24+	DIP	37500	原装正品现货,价格有优势!	询价

更多2SB1020供应商更新时间2026-1-19 15:35:00

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