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2SB1017	文件：69.26 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1017 is a PNP silicon epitaxial transistor suited to be used in power amplifier applications. FEATURES * Low base drive 文件：69.26 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1017	文件：33.64 Kbytes Page：1 Pages	2SB1017 Silicon PNP Power Transistors 文件：33.64 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SB1017	文件：182.66 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Complement to type 2SD1408 APPLICATIONS ·For power amplifications ·Recommended for 20-25W high-fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：182.66 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1017	文件：214.16 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Complement to type 2SD1408 APPLICATIONS ·For power amplifications ·Recommended for 20-25W high-fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：214.16 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1017	文件：127.69 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.7V(Max)@IC= -3A • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SD1408 APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. • Recommended for 20~25W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. 文件：127.69 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1017	文件：158.81 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Complement to type 2SD1408 APPLICATIONS ·For power amplifications ·Recommended for 20-25W high-fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：158.81 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1017	文件：160.46 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：160.46 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1017	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor The UTC 2SB1017 is a PNP silicon epitaxial transistor suited to be used in power amplifier applications. • Low base drive;	UTC 友顺	UTC
2SB1017G-X-TF3-T	文件：69.26 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1017 is a PNP silicon epitaxial transistor suited to be used in power amplifier applications. FEATURES * Low base drive 文件：69.26 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1017L-X-TF3-T	文件：69.26 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1017 is a PNP silicon epitaxial transistor suited to be used in power amplifier applications. FEATURES * Low base drive 文件：69.26 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC

晶体管资料

型号：
2SB1017
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
9MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1441,2SA1635,2SB920L,2SB942A,2SB1017,2SB1095,2SB1335,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
9000000
atest：
4
wtest：
25

技术参数

BVCEO(V)：
-80
BVCBO(V)：
-80
IC(A)：
-4
HFE_MIN.：
40
HFE_MAX.：
240
HFEtest_IC(mA)：
-500
HFEtest_VCE(V)：
-5
VCE(Sat)(V)MAX.：
-1.7
VCE(Sat)test_IC(mA)：
-3000
VCE(Sat)test_Ib(mA)：
-300
Package：
TO-220F_TO-220

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更多2SB1017供应商更新时间2026-1-17 10:20:00

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