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2SB1011	文件：87.25 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP triple diffusion planar type Silicon PNP triple diffusion planar type For low-frequency output amplification ■ Features • High collector-base voltage (Emitter open) VCBO • High collector-emitter voltage (Base open) VCEO • Large collector power dissipation PC • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 文件：87.25 Kbytes 页数：4 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SB1012	文件：33.52 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1376(K) 文件：33.52 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1012K	文件：33.52 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1376(K) 文件：33.52 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1015	文件：148.63 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency Power Amplifier Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat)= −1.7 V (max) (IC= −3 A, IB= −0.3 A) • Collector power dissipation: PC= 25 W (Tc = 25°C) 文件：148.63 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1015	文件：178.64 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Collector power dissipation :PC=25W@TC=25℃ ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1406 APPLICATIONS ·For audio frequency power amplifier applications 文件：178.64 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1015	文件：210.08 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Collector power dissipation :PC=25W@TC=25 ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1406 APPLICATIONS ·For audio frequency power amplifier applications 文件：210.08 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1015	文件：162.83 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Collector power dissipation :PC=25W@TC=25℃ ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1406 APPLICATIONS ·For audio frequency power amplifier applications 文件：162.83 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1015A	文件：148.63 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency Power Amplifier Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat)= −1.7 V (max) (IC= −3 A, IB= −0.3 A) • Collector power dissipation: PC= 25 W (Tc = 25°C) 文件：148.63 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1016	文件：187.67 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SD1407 APPLICATIONS • Power amplifier applications 文件：187.67 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1016	文件：125.62 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(satr -2.0V(Max)@lc= -4A • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SD1407 APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier applications. 文件：125.62 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2SB1012
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD884,2SB795,2SB1272,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-21
vtest：
120
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
20

详细参数

型号：
2SB101
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP Epitaxial

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB101供应商更新时间2025-12-19 18:33:00

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