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2SB1011	文件：87.25 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP triple diffusion planar type SiliconPNPtriplediffusionplanartype Forlow-frequencyoutputamplification ■Features •Highcollector-basevoltage(Emitteropen)VCBO •Highcollector-emittervoltage(Baseopen)VCEO •LargecollectorpowerdissipationPC •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
2SB1012	文件：33.52 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD1376(K)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1012K	文件：33.52 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD1376(K)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1015	文件：148.63 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) AudioFrequencyPowerAmplifierApplications •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=−1.7V(max) (IC=−3A,IB=−0.3A) •Collectorpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SB1015	文件：162.83 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·Collectorpowerdissipation :PC=25W@TC=25℃ ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Complementtotype2SD1406 APPLICATIONS ·Foraudiofrequencypoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB1015	文件：210.08 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·Collectorpowerdissipation :PC=25W@TC=25 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Complementtotype2SD1406 APPLICATIONS ·Foraudiofrequencypoweramplifierapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SB1015	文件：178.64 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fapackage ·Collectorpowerdissipation :PC=25W@TC=25℃ ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Complementtotype2SD1406 APPLICATIONS ·Foraudiofrequencypoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1015A	文件：148.63 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) AudioFrequencyPowerAmplifierApplications •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=−1.7V(max) (IC=−3A,IB=−0.3A) •Collectorpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SB1016	文件：69.96 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT) POWERAMPLIFIERVERTICALDEFLECTIONOUTPUT ●Complementto2SD1407	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
2SB1016	文件：125.62 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(satr-2.0V(Max)@lc=-4A •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SD1407 APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

产品属性

产品编号：
2SB1011
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 30mA，5V
频率 - 跃迁：
70MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126B-A1
描述：
TRANS PNP 400V 0.1A TO126B-A1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB101供应商更新时间2025-6-5 16:30:00

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