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2SB1016A	文件：148.33 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −100 V • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −2.0 V (max) • Complementary to 2SD1407A 文件：148.33 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1016A	文件：131.51 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：131.51 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1016A_07	文件：131.51 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：131.51 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1016A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for low frequency applications Polarity：PNP\nComplementary Product：2SD1407A\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current IC -5 A \nCollector-emitter voltage VCEO -100 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

Product Category：
Power transistor for low frequency applications
Package name(Toshiba)：
TO-220NIS
Recommended Product 1：
TTA1452B(Almost same package but similar characteristics)

更多2SB1016A供应商更新时间2026-1-18 16:30:00