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2SA1944	文件：51.64 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Features ● High voltage VCEO=-50V ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)=-0.2v typ (@IC=-500mA, IB=-10mA) ● High hFE: hFE=400 to 800 ● Small package for mounting 文件：51.64 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1945	文件：52.03 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial Features High voltage VCEO=-50V High fT:fT=150MHz typ Excellent linearity of DC forward current gain High collector current Icm=600mA Small package for mounting 文件：52.03 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1946	文件：52 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Features ● Low collector saturation voltage VCE(sat)=-0.25V typ ● High fT: fT=180MHz typ ● Excellent linearity of DC forward current gain ● High collector current Icm=-1A ● Small package for mounting 文件：52 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1946	文件：123.41 Kbytes Page：3 Pages	FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE FEATURE ● Low collector saturation voltage VCE(sat)=-0.25V typ ● High fT: fT=180MHz typ ● Excellent linearity of DC forward current gain ● High collector current Icm=-1A ● Small package for mounting APPLICATIONS For relay drive, small motor drive, power supply application. 文件：123.41 Kbytes 页数：3 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
2SA1947	文件：51.8 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial ■ Features ● High fT,fT=100MHz(typ) ● High collector current ICM=-1.5A ● Small package for mounting ● Complements to 2SC5214 文件：51.8 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1948	文件：52.55 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxia Features ● High fT fT=200MHz typ, low Cob Cob=3.5pF typ ● Small package for mounting ● High voltage VCEO=120V ● High collector dissipation Pc=500mW 文件：52.55 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1940	文件：122.01 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：122.01 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1940	文件：207.72 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：207.72 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1940_07	文件：122.01 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：122.01 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1940_15	文件：207.72 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：207.72 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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晶体管资料

型号：
2SA1943
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_HIFI_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
230V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
25MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1553,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
B-62
vtest：
230
htest：
25000000
atest：
15
wtest：
150

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
3
IC Cont. (A)：
17
VCEO Min (V)：
250
VCBO (V)：
250
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1
hFE Min：
55
hFE Max：
110
fT Min (MHz)：
30
PTM Max (W)：
150
Package Type：
TO-264-3

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