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2SA1943	文件：142.95 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications 文件：142.95 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1943	文件：247.8 Kbytes Page：7 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor 文件：247.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1943	文件：188.19 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS 文件：188.19 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1943	文件：227.39 Kbytes Page：2 Pages	150 Watt Silicon Epitaxial Planar PNP Power Transistor 文件：227.39 Kbytes 页数：2 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
2SA1943	文件：81.87 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：81.87 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1943_04	文件：142.95 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications 文件：142.95 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1943_06	文件：139.7 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications 文件：139.7 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1943_11	文件：188.19 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS 文件：188.19 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1943_15	文件：217.05 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER 文件：217.05 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1943_15	文件：203.71 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：203.71 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
3
IC Cont. (A)：
17
VCEO Min (V)：
250
VCBO (V)：
250
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1
hFE Min：
55
hFE Max：
110
fT Min (MHz)：
30
PTM Max (W)：
150
Package Type：
TO-264-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	2SA1943	TOSHIBA	24+	TO-3PL	2000	原装正品,欢迎咨询	询价
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更多2SA194供应商更新时间2025-11-1 16:01:00

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