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2SA1943C-O-AB-N-B	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	Power Amplifier Applications FEATURES ● High collector voltage：VCEO=230V (min) VCEO=250V (min) ● Complementary to 2SC5200 ● Recommended for 100W audio frequency amplifier output ● RoHS product APPLICATIONS ● Power Amplifier Applications 文件：501.15 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SA1943C-O-AL-N-B	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	Power Amplifier Applications FEATURES ● High collector voltage：VCEO=230V (min) VCEO=250V (min) ● Complementary to 2SC5200 ● Recommended for 100W audio frequency amplifier output ● RoHS product APPLICATIONS ● Power Amplifier Applications 文件：501.15 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SA1943C-O-AL-N-D	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	Power Amplifier Applications FEATURES ● High collector voltage：VCEO=230V (min) VCEO=250V (min) ● Complementary to 2SC5200 ● Recommended for 100W audio frequency amplifier output ● RoHS product APPLICATIONS ● Power Amplifier Applications 文件：501.15 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SA1943N	文件：1.08585 Mbytes Page：4 Pages	150 Watt Silicon Epitaxial Planar PNP Power Transistor DESCRIPTION ·With TO-3PN-SQ package ·Complement to type 2SC5200N APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：1.08585 Mbytes 页数：4 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
2SA1943-O-AB-N-B	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	Power Amplifier Applications FEATURES ● High collector voltage：VCEO=230V (min) VCEO=250V (min) ● Complementary to 2SC5200 ● Recommended for 100W audio frequency amplifier output ● RoHS product APPLICATIONS ● Power Amplifier Applications 文件：501.15 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SA1943-O-AL-N-B	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	Power Amplifier Applications FEATURES ● High collector voltage：VCEO=230V (min) VCEO=250V (min) ● Complementary to 2SC5200 ● Recommended for 100W audio frequency amplifier output ● RoHS product APPLICATIONS ● Power Amplifier Applications 文件：501.15 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SA1943-O-AL-N-D	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	Power Amplifier Applications FEATURES ● High collector voltage：VCEO=230V (min) VCEO=250V (min) ● Complementary to 2SC5200 ● Recommended for 100W audio frequency amplifier output ● RoHS product APPLICATIONS ● Power Amplifier Applications 文件：501.15 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SA1943-OQ	文件：229.6 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS Power Amplifier Applications • High collector voltage: VCEO= −230 V (min) • Complementary to 2SC5200 • Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. 文件：229.6 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1943OTU	文件：215.59 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Applications • High-Fidelity Audio Output Amplifier • General Purpose Power Amplifier Features • High Current Capability: IC= -15A. • High Power Dissipation : 150watts. • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO= -230V • Wide S.O.A for reliable operation. • Ex 文件：215.59 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2SA1943RTU	文件：215.59 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Applications • High-Fidelity Audio Output Amplifier • General Purpose Power Amplifier Features • High Current Capability: IC= -15A. • High Power Dissipation : 150watts. • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO= -230V • Wide S.O.A for reliable operation. • Ex 文件：215.59 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

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技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
3
IC Cont. (A)：
17
VCEO Min (V)：
250
VCBO (V)：
250
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1
hFE Min：
55
hFE Max：
110
fT Min (MHz)：
30
PTM Max (W)：
150
Package Type：
TO-264-3

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