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2SA1943N分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SA1943N

参数属性

2SA1943N 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 230V 15A TO3P

功能描述

150 Watt Silicon Epitaxial Planar PNP Power Transistor

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

1.08585 Mbytes

页面数量

4

生产厂商

THINKISEMI

中文名称

思祁半导体

网址

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更新时间

2025-11-2 11:26:00

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2SA1943N规格书详情

DESCRIPTION

·With TO-3PN-SQ package

·Complement to type 2SC5200N

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommended for 100W high fidelity audio

frequency amplifier output stage

产品属性

  • 产品编号:

    2SA1943N(S1,E,S)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 800mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    5µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    TRANS PNP 230V 15A TO3P

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