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2SA1768S-AN	文件：583.32 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage, large current capacity Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed Applicaitons • Color TV sound output, converter, inverter 文件：583.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1768T-AN	文件：583.32 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage, large current capacity Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed Applicaitons • Color TV sound output, converter, inverter 文件：583.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1769	文件：131.48 Kbytes Page：4 Pages	160V/700mA Switching Applications 160V/700mA Switching Applications Features · Adoption of MBIT processes. · High breakdown voltage and large current capacity. · Fast switching speed. Applications · Color TV audio output, conveter, inverter. 文件：131.48 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1770	文件：609.89 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)160V, (-)1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage and large current capacity 文件：609.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1770	文件：116.25 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage and large current capacity 文件：116.25 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1770	文件：275.01 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High breakdown voltage and large current capacity • Small and slim package permitting • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • Complementary to 2SC4614 APPLICATIONS • High voltage switching application 文件：275.01 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1770S-AN	文件：609.89 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)160V, (-)1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage and large current capacity 文件：609.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1770T-AN	文件：609.89 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)160V, (-)1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage and large current capacity 文件：609.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1771	文件：213.03 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) High-Current Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat)= −0.4 V (max) (IC= −6 A) • High-speed switching: tstg= 0.6 μs (typ.) • High emitter-base breakdown voltage: V (BR) EBO= −14 V (min) 文件：213.03 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1771	文件：161.96 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Low collector saturation voltage ·High speed switching time APPLICATIONS ·High current switching 文件：161.96 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SA1741
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1441,2SA1469,2SB595,2SB945,2SB1292,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-38
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

技术参数

Vcbo (V)：
-100
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-5
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
100-400
Pc (W)：
25
fT (Typical) (GHz)：
0.08
Cob (Typical) (pF)：
130

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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