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2SA1770	文件：609.89 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)160V, (-)1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage and large current capacity 文件：609.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1770	文件：116.25 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage and large current capacity 文件：116.25 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1770	文件：275.01 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High breakdown voltage and large current capacity • Small and slim package permitting • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • Complementary to 2SC4614 APPLICATIONS • High voltage switching application 文件：275.01 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1770	文件：515.169 Kbytes Page：7 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：515.169 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1770	文件：515.169 Kbytes Page：7 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：515.169 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1770	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor (-)160V, (-)1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1770S-AN	文件：609.89 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)160V, (-)1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage and large current capacity 文件：609.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1770T-AN	文件：609.89 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)160V, (-)1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage and large current capacity 文件：609.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1770_12	文件：515.169 Kbytes Page：7 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：515.169 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1770S-AN	文件：515.169 Kbytes Page：7 Pages	丝印：A1770；Package：NMP；High-Voltage Switching Applications 文件：515.169 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

晶体管资料

型号：
2SA1770
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1212,2SB1545,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-68
vtest：
180
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
1

详细参数

型号：
2SA1770
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1770供应商更新时间2026-1-17 10:50:00

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