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2SA1700	文件：78.25 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Driver Applications High-Voltage Driver Applications Features • High breakdown voltage. • Adoption of MBIT process. • Excellent hFE linearity. 文件：78.25 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1700	文件：189.12 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION ■ FEATURES * High breakdown voltage. * Excellent hFE linearity. 文件：189.12 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1700	文件：234.77 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES ● High breakdown voltage. ● Adoption of MBIT process. ● Excellent hFE linearity. 文件：234.77 Kbytes 页数：6 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1700	文件：316.12 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High breakdown voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • High Power Dissipation- : PC= 10W@TC=25℃ ,PC= 10W@Ta=25℃ • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • For high voltage driver applications. 文件：316.12 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1700	文件：303.5 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·High breakdown voltage ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage ·High Power Dissipation- : PC= 10W@TC=25℃,PC= 10W@Ta=25℃ ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·For high voltage driver applications. 文件：303.5 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1700	文件：322.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·High breakdown voltage ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage ·High Power Dissipation- : PC= 10W@TC=25℃,PC= 10W@Ta=25℃ ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·For high voltage driver applications. 文件：322.53 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1700	文件：766.92 Kbytes Page：3 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High Breakdown Voltage ● Adoption of MBIT Process ● Excellent hFE Linearity 文件：766.92 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1700	文件：132.25 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -200 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -400 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：132.25 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1700	文件：1.02028 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Features High breakdown voltage, adoption of MBIT process excellent hFE linearity Applications High voltage driver applications. 文件：1.02028 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1700	文件：62.33 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -200 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -400 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：62.33 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL

晶体管资料

型号：
2SA1720
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
绝缘（Iso）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1020,2SB1228,2SB1432,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>4000
图片代号：
B-38
vtest：
100
htest：
100000000
atest：
10
wtest：
25

技术参数

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-100
VCEO (V)：
-100
Vebo (V)：
-8
IC (A) @25 °C：
-10
VCE(sat) (V) max.：
-1.5
hFE min.：
4000
hFE max.：
20000
Pc (W)：
25
fT (MHz) typ.：
100
Package Type：
MP-45
Production Status：
EOL

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