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2SA1413-Z	文件：41.63 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Transistor ■Features ● High Voltage:VCEO=-600V ● High Speed : tf ≤ 1us ● Complement to 2SC3632-Z 文件：41.63 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1415	文件：412.38 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Switching Applications Features â— Adoption of FBET Process â— High Breakdown Voltage (VCEO = 160V) â— Excellent Linearlity of hFE and Small Cob â— Fast Switching Speed 文件：412.38 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1415	文件：96.58 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Switching Predriver Applications High-Voltage Switching, Predriver Applications Features • Adoption of FBET process. • High breakdown voltage (VCEO=160V). • Excellent linearity of hFE and small Cob. • Fast switching speed. • Ultrasmall size marking it easy to provide high-density,small-sized hybrid ICs. 文件：96.58 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1415	文件：108.68 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching, Predriver Applications High-Voltage Switching, Predriver Applications Features • Adoption of FBET process. • High breakdown voltage (VCEO=160V). • Excellent linearity of hFE and small Cob. • Fast switching speed. • Very small size marking it easy to provide high density, small-sized hybrid ICs. 文件：108.68 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1416	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：358.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1416	文件：509.48 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Switching Applications Features ● Adoption of FBET, MBIT Processes ● High Breakdown Voltage and Large Current Capacity ● Fast Switching Time ● Complementary to 2SC3646 文件：509.48 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1416	文件：124.38 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：124.38 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1416S-TD-E	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：358.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1416T-TD-E	文件：358.8 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：358.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1417	文件：337.51 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Ultrasmall size making it easy to provide high-density small-sized hybrid ICs 文件：337.51 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2SA1412
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
40MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1773,2SA1498,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
400
htest：
40000000
atest：
2
wtest：
10

技术参数

Vcbo (V)：
-400
VCEO (V)：
-400
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-2
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
40-120
Pc (W)：
10
fT (Typical) (GHz)：
0.04
Cob (Typical) (pF)：
30

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更多2SA141供应商更新时间2026-1-17 14:04:00

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