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2SA1411	文件：232.41 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：232.41 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1411	文件：27.49 Kbytes Page：1 Pages	SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFER, SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：27.49 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA1411	文件：38.1 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxia Silicon PNP Epitaxia Features Very high DC current gain:hFE=500 to 1600. High VEBOVoltage:VEBO=-10V 文件：38.1 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1412	文件：233.18 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3??? DESCRIPTION The 2SA1412-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High Voltage: VCEO= −400 V • High Speed: tf ≤0.7 μs • Complement to 2SC3631-Z 文件：233.18 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1412-Z	文件：233.18 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3??? DESCRIPTION The 2SA1412-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High Voltage: VCEO= −400 V • High Speed: tf ≤0.7 μs • Complement to 2SC3631-Z 文件：233.18 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1412-Z	文件：41.41 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Transistor Features High Voltage: VCEO=-400V High speed : tr ≤ 0.7µs 文件：41.41 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1412-Z	文件：262.5 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • With TO-252(DPAK) packaging • Excellent linearity of hFE • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Relay drivers • High-speed inverters • Conver 文件：262.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1413	文件：271.7 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3??? DESCRIPTION The 2SA1413-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High Voltage: VCEO = −600 V • High Speed: tf ≤ 1.0 μs • Complement to 2SC3632-Z 文件：271.7 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1413-Z	文件：271.7 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3??? DESCRIPTION The 2SA1413-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High Voltage: VCEO = −600 V • High Speed: tf ≤ 1.0 μs • Complement to 2SC3632-Z 文件：271.7 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1413-Z	文件：373.8 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • With TO-252(DPAK) packaging • Large collector current • Low collector saturation voltage • High power dissipation • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for use in DC-DC converter • Driver of solenoid o 文件：373.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SA1412
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
40MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1773,2SA1498,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
400
htest：
40000000
atest：
2
wtest：
10

技术参数

Vcbo (V)：
-400
VCEO (V)：
-400
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-2
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
40-120
Pc (W)：
10
fT (Typical) (GHz)：
0.04
Cob (Typical) (pF)：
30

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