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2SA1419	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1419	文件：127.81 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：127.81 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1419	文件：511.77 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Switching Applications Features ● Adoption of FBET, MBIT Processes ● High Breakdown Voltage and Large Current Capacity ● Complementary to 2SC3649 文件：511.77 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1419S-TD-E	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1419S-TD-H	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1419T-TD-E	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1419T-TD-H	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1411_15	文件：598.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Transistors 文件：598.58 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1411-M15	文件：598.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Transistors 文件：598.58 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1411-M16	文件：598.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Transistors 文件：598.58 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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晶体管资料

型号：
2SA1412
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
40MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1773,2SA1498,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
400
htest：
40000000
atest：
2
wtest：
10

技术参数

Vcbo (V)：
-400
VCEO (V)：
-400
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-2
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
40-120
Pc (W)：
10
fT (Typical) (GHz)：
0.04
Cob (Typical) (pF)：
30

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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