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2SA1419	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1419	文件：127.81 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA1419	文件：511.77 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Switching Applications Features ●AdoptionofFBET,MBITProcesses ●HighBreakdownVoltageandLargeCurrentCapacity ●Complementaryto2SC3649	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1419	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，-160V，-1.5A，低 VCE (sat)，(PNP)NPN 单 PCP; • Adoption of FBET, MBIT processes\n• High breakdown voltage and large current capacity\n• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs\n; 2SA1419 is a Bipolar Transistor, -160V, -1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP for High-Voltage Switching Applications.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1419	文件：120 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Switching Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA1419	文件：457.45 Kbytes Page：7 Pages	High-Voltage Switching Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA1419S-TD-E	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1419S-TD-H	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1419T-TD-E	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1419T-TD-H	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Ultrasmallsizemakingiteasytoprovidehigh-density,small-sizedhybridIC’s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
1.5
VCEO Min (V)：
160
VCBO (V)：
180
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
140
hFE Max：
280
PTM Max (W)：
0.5
Package Type：
SOT-89/PCP-1

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