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2SA1385	文件：289.15 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat): -0.3V(Max) @IC= -2A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers 文件：289.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1385Z	文件：235.82 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION The 2SA1385-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • Low VCE(sat): VCE(sat) = −0.18 V TYP. • Complement to 2SC3518-Z 文件：235.82 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA1385-Z	文件：235.82 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION The 2SA1385-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • Low VCE(sat): VCE(sat) = −0.18 V TYP. • Complement to 2SC3518-Z 文件：235.82 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1385-Z	文件：40.99 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxia Features • Low VCE(sat):VCE(sat)=-0.18 V TYP. 文件：40.99 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1385-Z	文件：353.28 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO= -60V(Min) • Excellent linearity of hFE • Low collector-to-emitter saturation voltage • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for audio frequency power ampli 文件：353.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1386	文件：174.55 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SC3519/3519A APPLICATIONS • Audio and general purpose 文件：174.55 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1386	文件：189.57 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SC3519/3519A APPLICATIONS • Audio and general purpose 文件：189.57 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1386	文件：124.24 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(15A,130W) 文件：124.24 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SA1386	文件：24.59 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3519/A) Application : Audio and General Purpose 文件：24.59 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SA1386	文件：148.99 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO = -160V(Min)-2SA1386 = -180V(Min)-2SA1386A • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SC3519/A APPLICATIONS • Designed for audio and general purpose applications 文件：148.99 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SA1330
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFN25,2FN27,2SA1255,2SA1247,2SB792,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
200
htest：
120000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-200
IC @25 °C (A)：
-0.1
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
90-450
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.12
Cob (Typical) (pF)：
3.6

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