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2SA1386A	文件：148.99 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO = -160V(Min)-2SA1386 = -180V(Min)-2SA1386A • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SC3519/A APPLICATIONS • Designed for audio and general purpose applications 文件：148.99 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1386A	文件：189.57 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SC3519/3519A APPLICATIONS • Audio and general purpose 文件：189.57 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1386A	文件：124.24 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(15A,130W) 文件：124.24 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SA1386A	文件：24.59 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3519/A) Application : Audio and General Purpose 文件：24.59 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SA1386A	文件：174.55 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SC3519/3519A APPLICATIONS • Audio and general purpose 文件：174.55 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1386B	文件：232.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor FEATURES • Recommend for 105W high Fiderity audio frequency amplifier output stage • Complement to type 2SC3519B & 2SC3519B-A APPLICATIONS • Audio and general purpose 文件：232.24 Kbytes 页数：3 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI
2SA1387	文件：169.98 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Low collector saturation voltage • High speed switching time • High DC current gain APPLICATIONS • High current switching applications 文件：169.98 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1387	文件：156.05 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Low collector saturation voltage • High speed switching time • High DC current gain APPLICATIONS • High current switching applications 文件：156.05 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1387	文件：212.32 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Low collector saturation voltage • High speed switching time • High DC current gain APPLICATIONS • High current switching applications 文件：212.32 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1387	文件：183.98 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 150(Min.)@lc=-1A • High Switching Speed • Low Collector Saturation Voltagetf -0.4V(Max)@ lc= -3A APPLICATIONS • Designed for high current switching applications. 文件：183.98 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
2SA1330
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFN25,2FN27,2SA1255,2SA1247,2SB792,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
200
htest：
120000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-200
IC @25 °C (A)：
-0.1
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
90-450
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.12
Cob (Typical) (pF)：
3.6

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