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2SA1120	文件：138.56 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High transition frequency ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Audio power amplifier applications 文件：138.56 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1120	文件：151.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High transition frequency ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Audio power amplifier applications 文件：151.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1120	文件：99.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High transition frequency ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Audio power amplifier applications 文件：99.42 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1121	文件：35.82 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Features Low frequency amplifier 文件：35.82 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1121	文件：24.19 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SC2618 文件：24.19 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SA1122	文件：24.09 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency amplifier 文件：24.09 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SA1122	文件：36.17 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Features ● Low frequency amplifier 文件：36.17 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1123	文件：34.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification) For low-frequency high breakdown voltage amplification Complementary to 2SA1123 ■Features ● Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. ● High collector to emitter voltage VCEO. ● Small collector output capacitance Cob . 文件：34.48 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA1123	文件：36.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Complementary to 2SC2631 ■Features ● Satisfactory foward current transfer ratio hFE collector current IC characteristics. ● High collector to emitter voltage VCEO. ● Small collector output capacitance Cob. ● Makes up a comp 文件：36.63 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA1124	文件：36.73 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Complementary to 2SC2632 ■Features ● Satisfactory foward current transfer ratio hFE collector current IC characteristics. ● High collector to emitter voltage VCEO. ● Small collector output capacitance Cob. ● Makes up a comp 文件：36.73 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

晶体管资料

型号：
2SA1121
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC807,BCW67,BCX17,2SA1326,3CA1B,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
35
htest：
50000000
atest：
0.5
wtest：
0

详细参数

型号：
2SA112
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY HITACHI TRANS. SC-59-35V -.5A .15W SURFACE MOUNT

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