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2SA1120	文件：138.56 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High transition frequency ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Audio power amplifier applications 文件：138.56 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1120	文件：151.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High transition frequency ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Audio power amplifier applications 文件：151.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1120	文件：99.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High transition frequency ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Audio power amplifier applications 文件：99.42 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1120	文件：128.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：128.71 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1120	文件：151.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：151.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1120	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 55V 0.1A 3-Pin TO-92-B1	NJS	NJS
2SA1120_15	文件：151.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：151.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
400mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum DC Collector Current：
0.1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
55V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.6@10mA@100mAV
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1120供应商更新时间2025-12-1 16:00:00

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