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2N6517RLRP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 0.5A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6517RLRPG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 0.5A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6517TA	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILD Small Signal Transistors 文件：628.43 Kbytes 页数：1 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N6517-TA	文件：1.38427 Mbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features Complement to 2N6520 文件：1.38427 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
H2N6517	文件：41.26 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N6517 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features • High Collector-Emitter Breakdown Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • The H2N6517 is complementary to H2N6520 文件：41.26 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC

产品属性

产品编号：
2N6517RLRP
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 50mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 350V 0.5A TO92

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更多2N6517RLRP供应商更新时间2026-1-27 11:15:00

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