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|---|---|---|---|---|
2N6583 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min) • High Current Capability • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5 V(Max)@ IC = 10A • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：274.29 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2N6583 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.3 Kbytes 页数：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | |
2N6583 | Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：POWER BJT | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP | |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.3 Kbytes 页数：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
500V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
>25MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BUW25,BUW26,BUW34,BUW35,BUW36,BUX14,2SC3046,3DK309C,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
500
- htest：
25000100
- atest：
10
- wtest：
125
产品属性
- 产品编号：
2N6583
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-204AD（TO-3）
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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25+ |
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45000 |
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MOT |
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50000 |
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