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HIGH-CURRENT, SILICON N-P-N VERSAWATT TRANSISTORS High-Current, Silicon N-P-N VERSAWATT Transistors 文件：138.81 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
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isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 130V(Min) • High Switching Speed • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators and a variety of power switching circuits. 文件：112.26 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
General Purpose Medium Power Amplifier NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR General Purpose Medium Power Amplifier 文件：67.55 Kbytes 页数：3 Pages | CDIL | CDIL | ||
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR General Purpose Medium Power Amplif)ier 文件：132.54 Kbytes 页数：3 Pages | CDIL | CDIL | ||
Silicon NPN Power Transistors 文件：131.93 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Silicon NPN Power Transistors 文件：91.39 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon NPN Power Transistors 文件：92.96 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
High-Current silicon NPN Versawatt Transistors 文件：292.28 Kbytes 页数：6 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
1A
- 最大工作频率：
>50MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD373D,BD517,BD525,2SD1281,2SD1282,3DK104C,
- 最大耗散功率：
1.2W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-80
- vtest：
60
- htest：
50000100
- atest：
1
- wtest：
1.2
详细参数
- 型号：
2N670
- 制造商：
CDIL
- 制造商全称：
Continental Device India Limited
- 功能描述：
General Purpose Medium Power Amplifier
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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UTG |
23+ |
TO-251 |
9000499 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
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23+ |
TO-92 |
4471 |
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CAN3 |
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MOT |
24+ |
CAN3 |
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原装现货/欢迎来电咨询 |
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25+ |
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询价 | ||
ST |
25+ |
CAN to-39 |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
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