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2N6704	文件：112.26 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 130V(Min) • High Switching Speed • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators and a variety of power switching circuits. 文件：112.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6704	文件：138.81 Kbytes Page：1 Pages	HIGH-CURRENT, SILICON N-P-N VERSAWATT TRANSISTORS High-Current, Silicon N-P-N VERSAWATT Transistors 文件：138.81 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6704	文件：292.28 Kbytes Page：6 Pages	High-Current silicon NPN Versawatt Transistors 文件：292.28 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6704	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 130V 7A	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N6704
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BU409,BUW64C,TIP150,TIP151,TIP152,3DK206D,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
180
htest：
50000100
atest：
7
wtest：
50

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200MHz
Maximum Power Dissipation：
50000mW
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
130V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.7@0.4A@4A1.5@0.7A@7A
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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