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2N6710	文件：137.24 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR General Purpose Medium Power Amplifier 文件：137.24 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N6710	文件：40.96 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor TO237 Plastic Package General PurposeMedium Power Amplifier 文件：40.96 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6714	文件：63.49 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6714, 2N6726 series types are complementary Silicon Plastic Power Transistors designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：63.49 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6714	文件：41.24 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 40 Volt VCEO * Gain of 50 at IC= 1 Amp * Ptot= 1 Watt 文件：41.24 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N6714	文件：48.05 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR TO-237 文件：48.05 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6714	文件：324.33 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Designed for General purpose Medium Power Amplifier and Switching Circuits. 文件：324.33 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N6714	文件：27.5 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 40 Volt VCEO * Gain of 50 at IC= 1 Amp * Ptot= 1 Watt 文件：27.5 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
2N6714	文件：43.73 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Designed for General purpose Medium Power Amplifier and Switching Circuits. 文件：43.73 Kbytes 页数：2 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N67145	文件：41.24 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 40 Volt VCEO * Gain of 50 at IC= 1 Amp * Ptot= 1 Watt 文件：41.24 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N6715	文件：41.24 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 40 Volt VCEO * Gain of 50 at IC= 1 Amp * Ptot= 1 Watt 文件：41.24 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

晶体管资料

型号：
2N6714
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD509,BD517,2SD1078,2SD1079,3DK104B,
最大耗散功率：
1.2W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
40
htest：
50000100
atest：
2
wtest：
1.2

产品属性

产品编号：
2N6714
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-237AA
供应商器件封装：
TO-237
描述：
TRANS NPN 30V 2A TO237

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