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2N6716	文件：32.13 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 100 Volt VCEO * Gain of 20 at IC = 0.5 Amp * Ptot=1 Watt 文件：32.13 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N6716	文件：45.84 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6716, 2N6728 Series types are Complementary Silicon Plastic Power Transistors designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：45.84 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6716	文件：392.2 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • High Voltage： VCEO = 100V • Gain of 20 @ IC = 0.5A 文件：392.2 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2N6717	文件：45.84 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6716, 2N6728 Series types are Complementary Silicon Plastic Power Transistors designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：45.84 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6717	文件：96.42 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6716, 2N6728 Series types are Complementary Silicon Plastic Power Transistors designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：96.42 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6717	文件：28.02 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 100 Volt VCEO * Gain of 20 at IC = 0.5 Amp * Ptot=1 Watt 文件：28.02 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
2N6717	文件：32.13 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 100 Volt VCEO * Gain of 20 at IC = 0.5 Amp * Ptot=1 Watt 文件：32.13 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N6718	文件：28.02 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 100 Volt VCEO * Gain of 20 at IC = 0.5 Amp * Ptot=1 Watt 文件：28.02 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
2N6718	文件：100.53 Kbytes Page：4 Pages	NPN GENERAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2N6718 is designed for general purpose medium power amplifier and switching applications. FEATURES * High Power: 850mW * High Current: 1A 文件：100.53 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2N6718	文件：141.12 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR General Purpose Medium Power Amplifier 文件：141.12 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL

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晶体管资料

型号：
2N6714
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD509,BD517,2SD1078,2SD1079,3DK104B,
最大耗散功率：
1.2W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
40
htest：
50000100
atest：
2
wtest：
1.2

产品属性

产品编号：
2N6714
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-237AA
供应商器件封装：
TO-237
描述：
TRANS NPN 30V 2A TO237

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N6714	onsemi	25+	TO-237	11580	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市一线半导体有限公司	2N6714	GE	24+		823		询价
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更多2N671供应商更新时间2026-3-11 10:02:00

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