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2N6648 | PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/527 文件：59.44 Kbytes 页数：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
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2N6648 | POWER TRANSISTORS(10A,100W) 10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 40-80 VOLTS 100 WATTS 文件：146.93 Kbytes 页数：3 Pages | MOSPEC 统懋 | MOSPEC | |
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2N6648 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：210.74 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
2N6648 | Darlington PNP Silicon Power -40V -80V, -10A This specification covers the performance requirements for PNP silicon, Darlington power, 2N6648, 2N6649 and 2N6650 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/527. The device package outlines is a dia | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
2N6648 | 包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：PNP TRANSISTOR | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
40V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BDV64,BDX84,BDX86,MJ2500,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
E-44
- vtest：
40
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
100
产品属性
- 产品编号：
2N6648
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
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10000 |
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MICROSEMI |
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