| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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2N6668 | POWER TRANSISTORS(65W) 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS | MOSPEC MOSPEC |  | |
2N6668 | DARLINGTON POWER TRANSISTORS(PNP SILICON ) DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
2N6668 | SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR SILICONPNPPOWERDARLINGTONTRANSISTOR ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPE ■PNPDARLINGTON ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE APPLICATIONS: ■GENERALPURPOSESWITCHING ■GENERALPURPOSESWITCHINGANDAMPLIFIER | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | |
2N6668 | PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS | bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司 |  | |
2N6668 | NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites. | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |  | |
2N6668 | Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N6668 | Darlington Power Transistor [multicomp] 10AmpereDarlingtonPowerTransistorsPNPSilicon80Volts65Watts PlasticMedium-PowerSiliconTransistorsaredesignedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features: •Collector-EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)=80V(Minim | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |  | |
2N6668 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=-5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-80V(Min) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-5A ·ComplementtoType2N6388 APPLICATIONS ·Designedforgener | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
2N6668 | Darlington Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N6668 | Darlington Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N6668 | Darlington Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N6668 | 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP DARL 80V 10A TO220 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain− hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−2N6667 =80 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | ||
Darlington Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | ||
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP DARL 80V 10A TO220-3 | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | | ||
PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N6668isdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplications. AbsoluteMaximumRatings(Ta=25°C) •MaximumTemperatures StorageTemperature...............................................................................................-55~+150°C Junction | HSMC 华昕 |  |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD648,BD900,BDW74B,BDX54B,
- 最大耗散功率：
65W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-84
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
65
产品属性
- 产品编号：
2N6668
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 100mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP DARL 80V 10A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2017+ |
TO220 |
21458 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
询价 | ||
ONS |
2339+ |
8858 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | |||
ON |
0418+ |
TO220 |
196 |
询价 | |||
MOSPEC |
05+ |
原厂原装 |
3851 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
PECOR |
PNPD |
80V10A65W |
3489 |
进口原装-真实库存-价实 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
TO-220 |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 | ||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
64910 |
正品授权货源可靠 |
询价 | |||
MOSPEC |
23+ |
TO-263 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
PECOR |
2022+ |
3300 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
