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2N6668

Darlington Silicon Power Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

2N6668

Power 8A 80V Darlington PNP

The 8 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications. • High DC Current GainhFE = 3500 (Typ) @ IC = 4 Adc\n• Collector-Emitter Sustaining Voltage@ 200 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)2N6667 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6668\n• Low Collector-Emitter Saturation VoltageVCE(sat) = 2 Vdc (Max) @ IC = 5 A\n• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Sh;

ONSEMI

安森美半导体

2N6668

Package:TO-220-3;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2N6668G

Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W

Darlington Silicon Power Transistors Designed for general−purpose amplifier and low speed switching applications. • High DC Current Gain − hFE = 3500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 200 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 2N6667 = 80

文件:80.83 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6668G

Darlington Silicon Power Transistors

文件:119.55 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6668 TIN/LEAD

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO220-3

CENTRAL

晶体管资料

  • 型号:

    2N6668

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD648,BD900,BDW74B,BDX54B,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-84

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    65

产品属性

  • 产品编号:

    2N6668

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 100mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,3V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMicroelectronics
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