2N6668数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
2N6668规格书详情
描述 Description
The 8 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications.
特性 Features
• High DC Current GainhFE = 3500 (Typ) @ IC = 4 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage@ 200 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)2N6667 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6668
• Low Collector-Emitter Saturation VoltageVCE(sat) = 2 Vdc (Max) @ IC = 5 A
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
• TO-220AB Compact Package
• Complementary to 2N6387, 2N6388 Figure 1. Darlington Schematic
技术参数
- 产品编号：
2N6668
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 100mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP DARL 80V 10A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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