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2N6668中文资料Power 8A 80V Darlington PNP数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N6668

参数属性

2N6668 封装/外壳为TO-220-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

功能描述

Power 8A 80V Darlington PNP

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 19:25:00

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2N6668规格书详情

描述 Description

The 8 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications.

特性 Features

• High DC Current GainhFE = 3500 (Typ) @ IC = 4 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage@ 200 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)2N6667 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6668
• Low Collector-Emitter Saturation VoltageVCE(sat) = 2 Vdc (Max) @ IC = 5 A
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
• TO-220AB Compact Package
• Complementary to 2N6387, 2N6388 Figure 1. Darlington Schematic

技术参数

  • 产品编号:

    2N6668

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 100mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,3V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

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