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2N6619中文资料12 V, 30 mA, NPN silicon transistor for low-noise RF broadband amplifier and high-speed switching application数据手册Infineon规格书

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厂商型号

2N6619

功能描述

12 V, 30 mA, NPN silicon transistor for low-noise RF broadband amplifier and high-speed switching application

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 19:25:00

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技术参数

  • 型号:

    2N6619

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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67500
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