2N6667中文资料10 A，60 V PNP 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

The 8 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications.

特性 Features

• High DC Current GainhFE = 3500 (Typ) @ IC = 4 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage@ 200 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)2N6667 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6668
• Low Collector-Emitter Saturation VoltageVCE(sat) = 2 Vdc (Max) @ IC = 5 A
• Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
• TO-220AB Compact Package
• Complementary to 2N6387, 2N6388 Figure 1. Darlington Schematic

简介

2N6667属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N6667晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。