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深圳市一线半导体有限公司

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深圳市弘为电子有限公司

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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深圳市蓝山航业科技有限公司

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标准国际(香港)有限公司

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深圳市达恩科技有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市振宏微科技有限公司

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深圳市胜彬电子有限公司

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VISHAY/威世TO-3

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MOTOROLA/摩托罗拉TO-39

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上海金庆电子技术有限公司

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2N665功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3

2N6650功能描述:达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

2N6650JANTX制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans Darlington PNP 80V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi 功能描述:Trans Darlington PNP 80V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3

2N6653制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors

2N6654制造商:SAVANTIC 制造商全称:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors

2N6655制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device

2N6658制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3

2N6659功能描述:MOSFET 35V 1.8 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

2N6659-2制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH MOSFET TO-39 35V 1.8 OHM(JANTX SIMILAR) - Bulk

2N6659-E3功能描述:MOSFET 35V 1.8 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

晶体管资料

  • 型号：

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  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Ge-PNP

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    80V

  • 最大电流允许值：

    3A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    2

  • 可代换的型号：

    AD167,AL102,AL103,AUY20,2N2141,2N2146,2N1541,2N1546,3AD56B,

  • 最大耗散功率：

    35W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    e-44

  • vtest：

    80

  • htest：

    999900

  • atest：

    3

  • wtest：

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