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2N6689

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/537

文件:60.35 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N6689

Devices

文件:93.64 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6689

NPN Silicon Power Speed 300V to 400V, 15A

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N6674, 2N6675, 2N6689 and 2N6690 transistors for use in high-speed power-switching applications. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for encapsulated devices as specified in MIL-PRF-19

Microchip

微芯科技

2N6689

Package:TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N6689

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    特殊封装

  • 极限工作电压:

    450V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    >15MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    3DK309B,

  • 最大耗散功率:

    175W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    F-28

  • vtest:

    450

  • htest:

    15000100

  • atest:

    15

  • wtest:

    175

产品属性

  • 产品编号:

    2N6689

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/537

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    5V @ 5A,15A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 1A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-61

  • 描述:

    POWER BJT

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更多2N6689供应商 更新时间2026-1-17 11:06:00