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2N658	文件：83.55 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM PNPSMALL SIGNAL TRANSISTORS GERMANIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：83.55 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N658	文件：1.1394 Mbytes Page：2 Pages	GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.1394 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N658	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92	NJS	NJS
2N6581	文件：143.47 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • High Voltage,High Speed • Low Saturation Voltage • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 450V(Min) APPLICATIONS • Off-line power supplies • Switching amplifiers • Inverters/Converters • Motor speed control circuits • Switching r 文件：143.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6583	文件：274.29 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min) • High Current Capability • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5 V(Max)@ IC = 10A • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：274.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6587	文件：118.71 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT Description: Si NPN Power BJT, I(C) = 10 A to 19.9 A 文件：118.71 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6580	文件：143.6 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：143.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6581	文件：11.3 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.3 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N6582	文件：274.05 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：274.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6583	文件：11.3 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.3 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

晶体管资料

型号：
2N658
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC153,AC188,AC193,2N1190,2SB405,3AK61,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
25
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.2

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200MHz
Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
350V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@1mA@10mA
Maximum Collector Base Voltage：
350V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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更多2N658供应商更新时间2026-1-17 8:58:00

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