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2N6584

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:274.28 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2N6582

PNP Transistor

Microchip

微芯科技

2N6584

Trans GP BJT NPN 350V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3

NJS

NJS

2N6581

Package:TO-204AA,TO-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

2N6582

Package:TO-204AA,TO-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

2N6583

Package:TO-204AA,TO-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N658

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    25V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    AC128,AC153,AC188,AC193,2N1190,2SB405,3AK61,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    D-9

  • vtest:

    25

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.2

技术参数

  • Maximum Transition Frequency:

    200MHz

  • Maximum Power Dissipation:

    625mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum DC Collector Current:

    0.5A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    350V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.3@1mA@10mA

  • Maximum Collector Base Voltage:

    350V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Small Signal

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更多2N658供应商 更新时间2026-1-17 14:04:00