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2N6581	文件：143.47 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • High Voltage,High Speed • Low Saturation Voltage • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 450V(Min) APPLICATIONS • Off-line power supplies • Switching amplifiers • Inverters/Converters • Motor speed control circuits • Switching r 文件：143.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6581	文件：11.3 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.3 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N6581	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 450V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS	NJS
2N6581	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

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更多2N6581供应商更新时间2026-1-17 9:04:00