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2N6520	文件：427.63 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •VoltageandCurrentarenegativeforPNPtrans	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N6520	文件：109.18 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6520	文件：101.59 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltageTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6520	文件：118.01 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-350V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N6520	文件：214.27 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
2N6520	文件：295.96 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltageTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N6520	文件：242.86 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●Highvoltagetransistors	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2N6520	文件：51.19 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2N6520isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •The2N6520iscomplementaryto2N6517.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2N6520	文件：129.449 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-350V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2N6520	文件：41.06 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES 350VoltVCEO Gainof15atIC=-100mA	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
2N6520	文件：220.18 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HIGHVOLTAGETRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
2N6520	文件：961.01 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Highvoltage. Applications Highvoltagecontrolcircuitapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2N6520	文件：341.17 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltageTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N6520	文件：1.14233 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementto2N6517	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2N6520	文件：106.96 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFamplifierapplications. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2N6520	文件：229.58 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNandPNP Features •VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6520	文件：27.21 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES 350VoltVCEO Gainof15atIC=-100mA	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
2N6520	文件：105.88 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
2N6520	文件：70.96 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •HighVoltageTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCBO=-350V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW •Complementto2N6517	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N6520	文件：103.79 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementto2N6517	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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详细参数

型号：
2N6520STOA
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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