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2N6549	文件：63.83 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6548 series types are silicon NPN monolithic darlington transistors designed for apmlifier and driver applications where high gain at a high collector current is important. 文件：63.83 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6549	文件：53.47 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-202 Case 文件：53.47 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6549	文件：126.24 Kbytes Page：1 Pages	NPN DARLINGTON TRANSISTOR Description: NPN Darlington Transistor 文件：126.24 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6549	文件：48.03 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 文件：48.03 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6549	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 40V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-202	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N6549
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD279,BD411,BD412,MPS-U45,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
β>15000
图片代号：
A-61
vtest：
50
htest：
999900
atest：
2
wtest：
10

技术参数

Type：
NPN
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
15000@200mA@5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
12V
Maximum Continuous DC Collector Current：
2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum Collector Base Voltage：
50V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@2mA@1AV
Configuration：
Single

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